విషయము
శామ్సంగ్ వన్-టెరాబైట్ ఇయుఎఫ్ఎస్ 2.1 నిల్వను భారీగా ఉత్పత్తి చేయడం ప్రారంభించిందని కంపెనీ ఈ రోజు ప్రకటించింది. గెలాక్సీ ఎస్ 10 వేరియంట్‌ను టెరాబైట్ స్టోరేజ్‌తో కంపెనీ ప్రవేశపెడుతుందనే పుకార్ల నేపథ్యంలో ఈ ప్రకటన వచ్చింది. గెలాక్సీ నోట్ 9 యొక్క హై ఎండ్ వెర్షన్‌లో గతంలో ప్రకటించిన 512 జిబి ఫ్లాష్ మాదిరిగానే అధిక సామర్థ్యం గల ఫ్లాష్ నిల్వ అదే భౌతిక స్థలాన్ని ఉపయోగిస్తుంది.
నిల్వ సామ్‌సంగ్ యొక్క అధునాతన V-NAND ఫ్లాష్ మెమరీ టెక్నాలజీపై ఆధారపడింది, ఇది మెరుగైన సాంద్రత, తక్కువ విద్యుత్ అవసరాలు మరియు సాధారణంగా వేగవంతమైన వేగాన్ని కలిగి ఉంటుంది. ఇది సింగిల్ NAND కణాల నిలువు స్టాకింగ్‌ను ఉపయోగించుకుంటుంది, ఇది సాధారణ NAND యొక్క క్షితిజ సమాంతర లేయర్డ్ అమరికతో పోలిస్తే చాలా ఎక్కువ సమర్థవంతంగా ఉంటుంది.
వినియోగదారులు ఏమి ఆశించవచ్చు?
EUFS 2.1 ఆధారిత నిల్వ సెకనుకు 1,000 మెగాబైట్ల కంటే ఎక్కువ సీక్వెన్షియల్ రీడ్ వేగాన్ని సాధించగలదని శామ్సంగ్ పేర్కొన్నప్పటికీ, వాస్తవ ప్రపంచ వినియోగంలో మీరు ఆ సంఖ్యను కొట్టే అవకాశం లేదు. యాదృచ్ఛిక వేగం ఏమిటంటే మరింత ముఖ్యమైనది మరియు శామ్సంగ్ విడుదల చేసిన ప్రాథమిక గణాంకాలు కూడా కొంచెం మెరుగుపడ్డాయని వెల్లడించింది.
యాదృచ్ఛిక వ్రాత వేగం, ముఖ్యంగా, నిరంతర హై ఫ్రేమ్ షూటింగ్ వంటి అనువర్తనాలను ప్రారంభించడానికి సహాయపడుతుంది. ఇప్పటివరకు చాలా ఫోన్‌లు కొన్ని సెకన్ల అధిక ఫ్రేమ్ రేట్ వీడియో క్యాప్చర్‌కు పరిమితం చేయబడ్డాయి. సెకనుకు 960 ఫ్రేమ్‌ల వద్ద నిరంతర, దీర్ఘకాలిక వీడియో రికార్డింగ్‌ను ప్రారంభించడానికి కొత్త V-NAND ఆధారిత 1 టెరాబైట్ నిల్వ పరిష్కారంలో ఎక్కువ చదవడం మరియు వ్రాయడం వేగం సరిపోతుందని శామ్సంగ్ తెలిపింది.
కొరియాలోని ప్యోంగ్‌టెక్‌లోని శామ్సంగ్ ప్లాంట్‌లో ఫ్లాష్ స్టోరేజ్ కోసం ఉత్పత్తి ప్రారంభమైంది మరియు MWC వద్ద అధిక సామర్థ్య నిల్వతో ఫోన్‌లు ప్రారంభించడం గురించి వినడం ప్రారంభించాలని మేము భావిస్తున్నాము. మునుపటి ulation హాగానాలు మరియు ఫిబ్రవరి 20 న గెలాక్సీ ఎస్ 10 యొక్క లాంచ్ ధృవీకరించబడినప్పుడు, ఆ హ్యాండ్‌సెట్ యొక్క సంస్కరణలో నిల్వను చూసే మంచి అవకాశం ఉంది.
ఫోన్‌లో టెరాబైట్ నిల్వ గురించి మీరు ఏమనుకుంటున్నారు? అధిక సామర్థ్యాన్ని సమర్థించడానికి మీరు తగినంత మీడియాను తీసుకువెళుతున్నారా లేదా మీరు క్లౌడ్-ఫస్ట్ ఫ్యూచర్‌ను స్వీకరించారా?
